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J-GLOBAL ID：200903050571690171

高誘電体薄膜

Inventor： 西村 浩之 ,  安達 廣士 ,  藤岡 弘文
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992104256
Publication number (International publication number)：1993298920
Application date： Apr. 23, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 常誘電性で、リーク電流が低く、高誘電率を有する高誘電体薄膜を提供する。【構成】 SrTiO3、Bi203、TiO2の三成分系の組成物薄膜をその組成範囲がSrTiO3 :45〜90重量%、Bi2O3:5〜30重量%、TiO2:3〜40重量%となるように基板上に成膜する。

Claim (excerpt)：

基板上に成膜してなるSrTiO3、Bi203、TiO2の三成分系の組成物薄膜で、その組成範囲がSrTiO3 :45〜90重量%、Bi2O3:5〜30重量%、TiO2 :3〜40重量%であることを特徴とする高誘電体薄膜。

IPC (7)：

H01B 3/12 304 ,  H01B 3/12 318 ,  C30B 29/32 ,  H01B 3/00 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108