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J-GLOBAL ID：200903050573731584
面実装型半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993212502
Publication number (International publication number)：1995066231
Application date： Aug. 27, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 面実装型半導体装置の製造方法において、ヘッダー部裏面への薄バリ付着を防止し、薄バリ除去工程を不要とする。【構成】 ヘッダー部2を備えたリードフレーム1と、前記ヘッダー部2に搭載される半導体素子4とを有し、金型内に前記リードフレーム1を配置して前記ヘッダー部2の裏面が外部へ露出するよう絶縁樹脂7にて封止されてなる面実装型半導体装置の製造方法において、前記半導体素子4をダイボンド,ワイヤボンドする第1の工程と、前記リードフレーム1を金型内に配置し、樹脂封止するとともに、前記ヘッダー部2の外周側面に前記金型の突起部を隣接させ、溝部8を形成する第2の工程と、を含んでなることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
ヘッダー部を備えたリードフレームと、前記ヘッダー部に搭載される半導体素子とを有し、金型内に前記リードフレームを配置して前記ヘッダー部の裏面が外部へ露出するよう樹脂封止されてなる面実装型半導体装置の製造方法において、前記半導体素子をダイボンド,ワイヤボンドする第1の工程と、前記リードフレームを金型内に配置し、樹脂封止するとともに、前記ヘッダー部の外周側面に前記金型の突起部を隣接させ、溝部を形成する第2の工程と、を含んでなることを特徴とする面実装型半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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