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J-GLOBAL ID：200903050582430090

有機ルミネセンス層及びエレクトロルミネセンス装置

Inventor： テュカラム ケイ.ハトワー ,  ゴパラン ラジェスワラン ,  チン ダブリュ.タン ,  ジアンミン シー
Applicant, Patent owner： イーストマン コダック カンパニー
Agent (1)： 石田 敬 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001174150
Publication number (International publication number)：2002038140
Application date： Jun. 08, 2001
Publication date： Feb. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】 稼動安定性及び輝度効率が向上したEL装置を提供することである。【解決手段】 稼動寿命が改良されたエレクトロルミネセンス装置に使用するための有機ルミネセンス層であって、a)正孔及び電子の注入及び再結合の両者を維持できる有機ホスト材料;並びにb)少なくとも2種類のドーパント:i)ホスト材料中の電子正孔結合エネルギーを受容できる第一ドーパント;及びii)ホスト材料からの正孔をトラップできる第二ドーパントを含んでなり;c)前記第一ドーパントは、第一ドーパントのバンドギャップエネルギーがホスト材料のバンドギャップエネルギーより低いように選択され;そしてd)前記第二ドーパントは、ホスト材料の価電子帯より高い正孔トラップエネルギーレベルを有するように選択された有機ルミネセンス層、並びにそれを含むエレクトロルミネセンス装置。

Claim (excerpt)：

稼動寿命が改良されたエレクトロルミネセンス装置に使用するための有機ルミネセンス層であって、a)正孔及び電子の注入及び再結合の両者を維持できる有機ホスト材料;並びにb)少なくとも2種類のドーパント:i)ホスト材料中の電子正孔結合エネルギーを受容できる第一ドーパント;及びii)ホスト材料からの正孔をトラップできる第二ドーパントを含んでなり;c)前記第一ドーパントは、第一ドーパントのバンドギャップエネルギーが、ホスト材料のバンドギャップエネルギーより低いように選択され;そしてd)前記第二ドーパントは、ホスト材料の価電子帯より高い正孔トラップエネルギーレベルを有するように選択された有機ルミネセンス層。

IPC (4)：

C09K 11/06 602 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22

FI (5)：

C09K 11/06 602 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 B ,  H05B 33/22 B ,  H05B 33/22 D

F-Term (9)：

3K007AB03 ,  3K007AB04 ,  3K007AB06 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00