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J-GLOBAL ID：200903050584229317

ZnSe系II-VI 族化合物半導体レーザー

Inventor：
西野 勇

About 西野 勇

, 
佐川 徹

About 佐川 徹

, 
笛吹 克夫

About 笛吹 克夫


Applicant, Patent owner：
同和鉱業株式会社

About 同和鉱業株式会社


Agent (1)： 丸岡 政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996035350
Publication number (International publication number)：1997214062
Application date： Jan. 30, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 青緑色〜青色で発光するZnSe系化合物半導体レーザの共振器ミラーを、通常の如く結晶のへき開を利用して作るには、特定の方位をもった単結晶基板を求め、この上に精密に制御された良質の単結晶薄膜を成長させることが必要だが、これらの技術は未完成で界面における格子欠陥も多く、たとえ作ってもレーザの寿命は短い。【解決手段】 そこで方位に関係なく、平坦な単結晶基板上に積層した多層膜を共振器ミラーとして利用し、基板表面に垂直に発光する面発光レーザダイオードを作ることにより上記の課題を解決した。即ち、n-ZnSe基板2上にエピタクシーとエッチングの技術を駆使して、中央に小さな円盤状のZnCdSe活性層7を、その上方と下方に多層膜のミラー23と22を、またその周囲に光ガイド層9とブロック層10を、さらに上下の端面に電極18と12を形成してレーザを作る。この例では下方のミラー22を通して出力光を得ている。
Claim (excerpt)：
ZnSe単結晶基板上に成長させたZnSe系II-VI 族化合物半導体レーザーであって、活性層となるZnCdSe層をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する層で挟んでダブルヘテロ接合層を構成し、さらに該接合層を挟んで互いに向い合う多重反射膜の間で共振器を構成し、該基板に対して垂直な方向にレーザー光を出力するようにしたことを特徴とする面発光型ZnSe系II-VI 族化合物半導体レーザー。
IPC (3)：
H01S 3/18 ,  C30B 29/46 ,  C30B 29/48
FI (3)：
H01S 3/18 ,  C30B 29/46 ,  C30B 29/48
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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