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J-GLOBAL ID：200903050593421093

半導体装置の製造方法

Inventor： 立古 昇
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993148755
Publication number (International publication number)：1995014827
Application date： Jun. 21, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 結晶欠陥の発生を防止する。また、製造工程の一部を省略する。【構成】 半導体ウエーハにボロン不純物層を形成し、該ボロン不純層の上に熱酸化膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記ボロン不純層を形成した半導体ウエーハを窒素ガス雰囲気中で熱処理を行った後、酸化雰囲気中で酸化処理を行って半導体ウエーハの表面に酸化膜を形成する。また、前記窒素ガス雰囲気中での熱処理と酸化雰囲気中での熱処理を同一処理炉で連続して行う。

Claim (excerpt)：

半導体ウエーハにボロン不純物層を形成し、該ボロン不純層の上に熱酸化膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記ボロン不純層を形成した半導体ウエーハを窒素ガス雰囲気中で熱処理を行った後、酸化雰囲気中で酸化処理を行って半導体ウエーハの表面に酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/22