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J-GLOBAL ID：200903050607644252
半導体集積回路の配線構造および形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996144513
Publication number (International publication number)：1997326587
Application date： Jun. 06, 1996
Publication date： Dec. 16, 1997
Summary：
【要約】【課題】 半導体集積回路において、隣接配線の信号伝播に起因した磁界変移による誘導電流を減衰させ、配線間クロストローク・ノイズを防止する。【解決手段】 配線1の側面部に、表皮深さ以上の厚さの高透磁率膜2を被覆する。これにより、隣接配線の信号伝播に起因した磁界変移による誘導電流を、表皮効果によって配線1の側面部の高透磁率膜2中を流れるようにし、抵抗損失によって減衰させ、クロストローク・ノイズを防止する。
Claim (excerpt)：
通電用配線を有する半導体集積回路の配線構造であって、配線は、半導体集積回路に設けられ、配線の側面部は、導電性の高透磁率材料にて覆われたものであることを特徴とする半導体集積回路の配線構造。
IPC (2)：
FI (2)：
H05K 9/00 R
, H05K 1/02 P
