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J-GLOBAL ID：200903050608272944

単結晶性薄膜の形成方法

Inventor： 葭田 典之 ,  藤野 剛三 ,  林 憲器 ,  奥田 繁 ,  原 築志 ,  石井 英雄
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社 ,  東京電力株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994268776
Publication number (International publication number)：1995291626
Application date： Nov. 01, 1994
Publication date： Nov. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 より簡単な装置においてより簡便なプロセスにより、レーザ蒸着法に従って多結晶またはアモルファスの基材上に特定の結晶方位が強く配向する薄膜を蒸着させる。【構成】 ターゲット12にレーザ光13を照射することにより、ターゲット12から飛散された物質を基材11上に蒸着させるレーザアブレーション法に従って薄膜を形成する。薄膜形成のために、(a)に示すようなターゲット12と基材11とがほぼ平行である配置において特定の結晶方位が基材11に対してほぼ垂直に配向する膜を形成することができる条件を用意する。この条件下において、(b)に示すように、ターゲット12に対して所定の角度θに傾けられた基材11上に膜を蒸着させる。この特定の成膜条件下において、基材を傾けることにより、基材面とほぼ平行な面内に特定の結晶軸が強く配向する膜を蒸着させることができる。

Claim (excerpt)：

ターゲットにレーザ光を照射することにより、前記ターゲットから飛散された物質を基材面上に蒸着するレーザアブレーション法に従い、前記レーザ光が照射されるターゲット面と前記基材面とがほぼ平行である配置において第1の特定の結晶方位が前記基材面に対してほぼ垂直に配向する膜を形成することができる成膜条件を準備する工程と、前記基材面を前記ターゲット面に対して所定の角度に傾ける工程と、前記傾けられた基材面上に、前記成膜条件下において膜を蒸着する工程とを備え、前記基材面は、多結晶またはアモルファスの材料からなり、かつ前記所定の角度に前記基材面を傾けることにより、蒸着する前記膜において前記ターゲット面に対してほぼ垂直な方向に前記第1の特定の結晶方位が配向する傾向と、前記基材面に対してほぼ垂直な方向に第2の特定の結晶方位が配向する傾向とを利用して、前記基材面上に単結晶性の膜を形成することを特徴とする、単結晶性薄膜の形成方法。

IPC (7)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C30B 23/00 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 21/203 ,  H01L 39/24 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 酸化物超電導導体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-205551   Applicant：超電導発電関連機器・材料技術研究組合