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J-GLOBAL ID:200903050617261653

変成器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 志賀 正武 (外8名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999076905
Publication number (International publication number):2000277358
Application date: Mar. 19, 1999
Publication date: Oct. 06, 2000
Summary:
【要約】【課題】 伝送線路に鎖交する渡り磁束成分が少なく、昇圧比が高く、変換効率に優れかつ同調周波数の低い変成器を提供する。【解決手段】 誘電性と磁性を有するコア4と、コア4の内部に配置された伝送線路52と、コア4の外部に配置された接地導体42、42とを少なくとも備え、伝送線路52は、一対のスパイラル型の線路導体50、51が互いに離間して重なる位置に配置され、かつ並列に接続されてなるものであって、この伝送線路52の線路長Lが伝送線路52に印加する電圧の周波数の伝送線路52上の1/4波長にほぼ等しく設定され、コア4に伝送線路52から発生した磁束を通す磁路が形成されていることを特徴とする変成器1を採用する。
Claim (excerpt):
誘電性と磁性を有するコアと、該コア上に形成され、各々が並列に接続された複数の伝送線路とを少なくとも備え、この伝送線路の線路長Lが該伝送線路に印加する電圧の周波数の該伝送線路上の1/4波長にほぼ等しく設定され、前記コアに前記伝送線路から発生した磁束を通す磁路が形成されていることを特徴とする変成器。
IPC (4):
H01F 30/00 ,  G02F 1/133 520 ,  H01F 1/34 ,  H01F 19/00
FI (7):
H01F 31/00 D ,  G02F 1/133 520 ,  H01F 19/00 Z ,  H01F 1/34 A ,  H01F 1/34 B ,  H01F 31/00 A ,  H01F 31/00 Z
F-Term (16):
2H093NC02 ,  2H093NC42 ,  2H093ND42 ,  5E041AB01 ,  5E041AB02 ,  5E041AB19 ,  5E041BB03 ,  5E041CA01 ,  5E041CA10 ,  5E041NN14 ,  5E070AA11 ,  5E070BA11 ,  5E070BB03 ,  5E070CB03 ,  5E070CB13 ,  5E070CB15

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