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J-GLOBAL ID：200903050630651509
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992316079
Publication number (International publication number)：1994151734
Application date： Oct. 31, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：
【要約】【目的】 入力の負荷容量を大きくするなどの不利益を生ずることなく、利得を高めることができるダブルウェル構造の半導体装置を提供する。【構成】 第1の導電型の浅いウェル3が、第2の導電型の深いウェル2内に形成されているダブルウェル構造を備え、該第1の導電型の浅いウェルにソース/ドレイン領域42,43が形成されている半導体装置において、第1の導電型の浅いウェルに形成されたソース領域を浅いウェルと接続すること等により第1の導電型の浅いウェル3をゲート41の電位と同等もしくは近傍の電位にする。
Claim (excerpt)：
第1の導電型の浅いウェルが、第2の導電型の深いウェル内に形成されているダブルウェル構造を備え、該第1の導電型の浅いウェルにソース/ドレイン領域が形成されている半導体装置において、前記第1の導電型の浅いウェルをゲートの電位と同等もしくは近傍の電位にしたことを特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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