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J-GLOBAL ID：200903050634485484

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 牧田 直樹 ,  宮本 忠芳 ,  香西 孝真
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994090356
Publication number (International publication number)：1995297125
Application date： Apr. 27, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 TFTを効率よく横方向結晶成長領域に作製し、キャリアの高移動度の実現による高性能で安定した特性のTFTを、基板全面に亘って形成することができ、更に、結晶化に必要な時間を短縮することができる半導体装置、およびその製造方法を提供する。【構成】 結晶化を助長する触媒元素を選択導入して加熱することにより基板と平行に結晶成長させた結晶性ケイ素膜を利用して薄膜トランジスタを構成する半導体装置およびその製造方法において、図10における距離aを120μm以下、あるいは距離bを30μm以上、あるいは距離cを120μm以上、あるいは距離dを5μm以上とする。また、一つの触媒元素添加領域から成長した横方向結晶成長結晶性ケイ素膜を利用して、複数の薄膜トランジスタを形成する。

Claim (excerpt)：

結晶性を有するケイ素膜を利用してチャネル領域が絶縁表面を有する基板上に構成された半導体装置であって、前記チャネル領域は、非晶質ケイ素膜の結晶化を助長する触媒元素を選択的に線状に導入し、予め定めるアニール温度による加熱処理により、前記触媒元素が選択的に導入された線状領域の周辺部において、基板表面に平行に結晶成長させた結晶性ケイ素膜により形成されたものであって、前記チャネル領域が、前記触媒元素の導入領域から、該アニール温度で結晶性ケイ素膜が形成される範囲内に配置されている半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-133633   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-131416   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-235461   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所