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J-GLOBAL ID：200903050640045801
半導体露光装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊東 哲也 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991236909
Publication number (International publication number)：1993055116
Application date： Aug. 26, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体ウエハなどを焼き付ける際にフォーカスを計測する手段を有する半導体焼付装置において、フォーカス計測点のパターンの状態やウエハ焼き付け工程間の差やレジストの厚さ、種類などにかかわらずより正確なフォーカシングを行なう。【構成】 フォーカスを計測する計測手段と、所定のフォーカス位置情報に応じてフォーカスを合わせる合焦手段とを有する半導体露光装置において、予め露光領域内の略中心を含む複数点のフォーカスを計測してこれら複数点のフォーカス計測値の平均値と前記略中心のフォーカス計測値であるセンター計測値との差であるフォーカスオフセットを求める手段と、露光時、前記計測手段で計測されセンター計測値を前記フォーカスオフセットで補正した値を前記フォーカス位置情報として前記合焦手段に与える補正手段とを設ける。
Claim (excerpt)：
フォーカスを計測する計測手段と、所定のフォーカス位置情報に応じてフォーカスを合わせる合焦手段とを有する半導体露光装置において、予め露光領域内の略中心を含む複数点のフォーカスを計測してこれら複数点のフォーカス計測値の平均値と前記略中心のフォーカス計測値であるセンター計測値との差であるフォーカスオフセットを求める手段と、露光時、前記計測手段で計測されセンター計測値を前記フォーカスオフセットで補正した値を前記フォーカス位置情報として前記合焦手段に与える補正手段とを具備することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2)：
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