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J-GLOBAL ID：200903050641930426
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996278232
Publication number (International publication number)：1998125654
Application date： Oct. 21, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：
【要約】【課題】 ドライエッチング時にレジスト上又は側壁上に付着するカーボン系堆積物の確実な除去を実現する。【解決手段】 SiO2 からなる絶縁膜を、フォトレジストパターンをマスクとしてプラズマ中でドライエッチングする方法において、フッ素系ガスに窒素系ガスを加えた混合ガス又はフッ素系ガス、窒素系ガス及びペニング効果を引き起こす不活性ガスからなる混合ガスの励起プラズマを用いてドライエッチングして、前記絶縁膜をエッチングするとともにドライエッチング時に生成されるカーボン系堆積物を除去する半導体装置の製造方法。
Claim (excerpt)：
SiO2 からなる絶縁膜を、フォトレジストパターンをマスクとしてプラズマ中でドライエッチングする方法において、フッ素系ガスに窒素系ガスを加えた混合ガス又はフッ素系ガス、窒素系ガス及びペニング効果を引き起こす不活性ガスからなる混合ガスの励起プラズマを用いてドライエッチングして、前記絶縁膜をエッチングするとともにドライエッチング時に生成されるカーボン系堆積物を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/302 F
, C23F 4/00 E
