Pat
J-GLOBAL ID：200903050663758953
ダイナミツクRAM
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 晃 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991287099
Publication number (International publication number)：1993102431
Application date： Oct. 07, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】 ダイナミックRAMの周辺回路部等における配線層とその下層の配線層の確実なコンタクトを図る。【構成】 周辺回路部P等における配線層21,18間の接続層20を、メモリセル部Mのビット線16の拡散層4への接続のためのプラグ層15と同一の導電層で形成する。何ら工程数の増大なしに、コンタクトホール19の垂直段差の緩和が可能となる。
Claim (excerpt)：
配線層とその下層に層間絶縁膜を介して配された他の配線層の電気的な接続のための接続層をビット線と拡散層の電気的な接続に用いるプラグ層と同じ導電層で形成したことを特徴とするダイナミックRAM。
IPC (2)：
H01L 27/108
, H01L 27/088
H01L 27/10 325 V
, H01L 27/08 102 D
