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J-GLOBAL ID：200903050669429030

薄膜トランジスタ及びその製法

Inventor： ディディエ・ジュス ,  ジェルツィ・カニッキー
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 頓宮 孝一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991233803
Publication number (International publication number)：1994342909
Application date： Aug. 22, 1991
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】微細結晶または多結晶シリコン皮膜層に隣接する、非晶質の水素化シリコン皮膜を有する構造を提供する。【構成】活性チャネル領域に電気的に結合したソース電極14とドレイン電極16を含む、薄膜トランジスタ・デバイス10を基板上に形成する。デバイスはまた、ソース電極とドレイン電極の間を流れる電流を制御するために、活性半導体チャネル領域に電気的に結合したゲート電極30も含む。活性半導体チャネル領域は、第1の層24と第2の層26を含む。第1の層は、非晶質の水素化シリコン(a-Si:H)からなり、第2の層は、多結晶シリコンからなる。第2の層は第1の層とゲート電極との間に介在する。多結晶シリコンの第2の層は、粒界の外側に非晶質相を含んでも含まなくてもよい。

Claim (excerpt)：

基板の主表面上に形成した少なくとも1つの第1の電極手段と、上記少なくとも1つの第1の電極手段を被覆する2層領域と、上記2層領域を被覆する少なくとも1つの第2の電極手段を有し、上記2層領域は、非晶質の水素化シリコンからなる第1の層と、微細結晶または多結晶シリコンからなる第2の層を含み、第1の層および第2の層が互いに隣接することを特徴とする構造体。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-087371
  
• 特開昭63-047980
  
• 特開昭62-216372
  
• 特開昭61-204976