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J-GLOBAL ID：200903050671575078

光増幅装置および半導体レーザ装置

Inventor： 石野 正人 ,  松井 康
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993001019
Publication number (International publication number)：1994204593
Application date： Jan. 07, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低消費電力で高い信頼性を有する希土類ドープファイバー光増幅器および低バイアスで高いファイバー光出力の得られる半導体レーザ装置を得る。【構成】 光増幅装置の構成を示す。1は多波長光源であり、波長1.47μm、1.48μm、1.49μmの波長を同時に出射するとともに合波されている。この波長合成励起光16がErドープファイバー(EDFA)12に入射されドープファイバーを励起する。この状態で波長1.55μmの信号光13をEDFA12に入射することにより、増幅光14は波長フィルター15を通して出力される。ここで用いた各波長はどの波長においても高い効率でEDFAを励起することができる。

Claim (excerpt)：

発振波長が希土類添加光ファイバーの励起波長範囲内で相発振波長が異なる複数の単一波長発振レーザがアレイ状に集積された半導体素子と、希土類添加光ファイバーと、前記アレイ状半導体素子からの各出射光を前記希土類添加光ファイバーに集光・結合する手段と、前記希土類光ファイバーに増幅感度を有する波長の信号光を入出力する手段とを有することを特徴とする光増幅装置。

IPC (4)：

H01S 3/10 ,  H01S 3/07 ,  H01S 3/094 ,  H01S 3/18