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J-GLOBAL ID：200903050679948469
プラスチックパッケージされた半導体装置ならびにヒートシンクの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993296728
Publication number (International publication number)：1995153878
Application date： Nov. 26, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：
【要約】【目的】 プラスチックパッケージに適した熱膨張係数および熱伝導率を有するヒートシンクを備え、プラスチックパッケージされた半導体装置を提供する。【構成】 高融点のMoとMoよりも低融点かつ高熱伝導率のCuとから成り、図中、領域Z1 の範囲、即ち、熱膨張係数が9〜17×10-6/K、かつ熱伝導率が200ワット/m・K以上の範囲にあるヒートシンクを備えている。
Claim (excerpt)：
ヒートシンクを備え、プラスチックパッケージされた半導体装置において、前記ヒートシンクは、高融点の第1の金属と該第1の金属よりも低融点かつ高熱伝導率の第2の金属とから成り、熱膨張係数が9〜17×10-6/K、かつ熱伝導率が200ワット/m・K以上であることを特徴とするプラスチックパッケージされた半導体装置。
IPC (3)：
H01L 23/373
, B22F 5/00
, H01L 23/28
H01L 23/36 M
, B22F 5/00 Z
