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J-GLOBAL ID：200903050704082757

温純水洗浄によるシリコンウエーハの表面処理方法

Inventor： 森川 博
Applicant, Patent owner： 住友シチックス株式会社
Agent (1)： 森 正澄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993299321
Publication number (International publication number)：1995153728
Application date： Nov. 30, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】 アルカリ洗浄後のパーティクル汚染を確実に低減し、アンモニアイオンを低減させ、経時的変化の発生を抑制できるシリコンウエーハの表面処理方法を提供すること。【構成】 アンモニアと過酸化水素水及び水との混合液によるアルカリ洗浄によりシリコンウエーハのパーティクル等を除去するシリコンウエーハの表面処理方法であって、前記アンモニアと過酸化水素水及び水との混合液にシリコンウエーハを浸漬後、80°C以上の過酸化水素水を含む温純水に前記シリコンウエーハを浸漬させるものである。

Claim (excerpt)：

アンモニアと過酸化水素水及び水の混合液によるアルカリ洗浄によりシリコンウエーハのパーティクル等を除去するシリコンウエーハの表面処理方法であって、前記アンモニアと過酸化水素水及び水との混合液にシリコンウエーハを浸漬後、80°C以上の過酸化水素水を含む温純水に前記シリコンウエーハを浸漬させることを特徴とする温純水洗浄によるシリコンウエーハの表面処理方法。