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J-GLOBAL ID：200903050726422012
半導体レーザモジユール
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991158866
Publication number (International publication number)：1993005817
Application date： Jun. 28, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：
【要約】【目的】 各部の調整を簡易にできると共に、冷却効率に優れ、しかも光通過損失を極少にした上で2つのレーザ出射光を効率良く1本のビーム合成し得る半導体レーザモジュールを提供するものである。【構成】 レーザキャビティ100内に、2つの半導体レーザ素子11,12と、これら2つの半導体レーザ素子11,12からのレーザ出射光を合成するための偏波合成プリズム50とを備えている。又、半導体レーザ素子12と偏波合成プリズム50との間に、1/2波長板60を配置して半導体レーザモジュールを構成している。これにより、偏波合成プリズム50で2つのレーザ出射光を合成して1本のレーザビームに結合できるようにしている。
Claim (excerpt)：
レーザ光をそれぞれ発生し、互いに直交するように配置された第1及び第2の半導体レーザ素子と、前記第1の半導体レーザ素子からの前記レーザ光の出射光を入射可能に配置されると共に、前記出射光を透過して透過光とする1/2波長板と、前記1/2波長板を透過した前記透過光及び前記第2の半導体レーザ素子からの前記レーザ光の出射光を入射可能に配置された偏波合成プリズムとを備えたことを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (3)：
G02B 6/42
, G02B 5/04
, H01S 3/18
