Pat

J-GLOBAL ID：200903050737862057

半導体装置

Inventor： 青木 豊 ,  谷川 聡 ,  中川 洋恵
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993018579
Publication number (International publication number)：1994232296
Application date： Feb. 05, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低応力性および耐熱性に優れた封止樹脂により樹脂封止された半導体装置を提供するものであり、特に低応力性および耐熱性に優れた透明封止樹脂により樹脂封止された光半導体装置を提供するものである。【構成】 熱硬化性樹脂、硬化剤成分および粒子径が0.5μm以下であり、ブチルアミンにより滴定した酸性度が0.01mmol/g以下であるシリカ粒子を含む樹脂組成物によって半導体素子を封止して半導体装置とする。

Claim (excerpt)：

下記の(A)〜(C)成分を含む樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)熱硬化性樹脂。(B)硬化剤成分。(C)粒子径が0.5μm以下であり、ブチルアミンにより滴定した酸性度が0.01mmol/g以下であるシリカ粒子。

IPC (4)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08K 7/18 KCL ,  C08L101/00