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J-GLOBAL ID：200903050741851230

圧力センサ

Inventor： 大谷 圭三
Applicant, Patent owner： 山武ハネウエル株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993019189
Publication number (International publication number)：1994207871
Application date： Jan. 12, 1993
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：

【要約】【目的】 圧力センサにおいてpn接合分離によるリーク電流を減らしてドリフトを低減する。【構成】 厚肉部2と薄肉ダイアフラム部3とを備えたp形シリコン基板1aを用い、その薄肉ダイアフラム部3の所定領域にn形のウエル領域10を複数個(この例では4個)形成する。そして、これらn形ウエル領域10内にそれぞれにp形拡散領域からなるピエゾ抵抗効果をもつゲージ抵抗4(4A〜4D)を形成して、各ゲージ抵抗4A〜4Dをブリッジに組み込む。この場合、各n形ウエル領域10は、ブリッジ回路を構成するp形ゲージ抵抗4A〜4Dのそれぞれの高電位側に電極配線11により電気的に接続されてその電位に固定されている。

Claim (excerpt)：

半導体のピエゾ抵抗効果を利用して圧力を電気信号に変換する圧力センサにおいて、第1導電形の半導体単結晶基板上にこの基板と異なる第2導電形を有して形成された複数のウエル領域と、これらウエル領域にそれぞれ形成されたピエゾ抵抗効果を有する第1導電形のゲージ抵抗とを備え、前記各ウエル領域をそれぞれのゲージ抵抗の高電位側にクランプするようにしたことを特徴とする圧力センサ。