疑似位相整合型波長変換素子及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：平木祐輔 , 関谷三男 , 渡辺敏章 , 今村健一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003351050
Publication number (International publication number)：2005115150
Application date： Oct. 09, 2003
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：

【課題】疑似位相整合型波長変換素子の作成の際において、下部構造の非反転層と反転層とのデューティー比を維持しつつ、界面と最表面を平坦にする。【解決手段】基板1を準備する第1ステップと、副格子交換エピタキシー法により空間反転III-V族化合物半導体結晶7を成長する第2ステップと、反転層と非反転層とが基板面内において周期的に配置された周期空間反転基板を形成する第3ステップと、III-V族化合物半導体結晶の再成長することにより周期空間反転基板の位相をそれぞれ引き継いだ周期空間反転構造を形成し、表面研磨により平坦化された周期空間反転構造を形成する第4ステップと、周期空間反転構造上にIII-V族化合物半導体結晶15,17を成長させる第5ステップと、を有し、第4ステップの後であって第5ステップの前に、平坦化基板の最表面に表面酸化膜を形成するステップを含む。この際、第5のステップは、V族原料とIII族原料のフラックス比(V/III比)を反転領域と非反転領域との間の界面の伝搬方向が実質的に基板の法線方向となるフラックス比を保持して行われる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

副格子交換により空間反転した反転層と空間反転していない非反転層とが(100)主面内に周期的に配置された周期空間反転構造を有し平坦な最表面を有する周期空間反転下部構造と、該周期空間反転下部構造上に形成され、該周期空間反転下部構造における前記反転層と前記非反転層とのそれぞれの略直上の領域に前記反転層と前記非反転層との特性を引き継いで形成された反転ガイド層及び非反転ガイド層と、該反転ガイド層及び非反転ガイド層の上下に形成された第1及び第2のクラッド層と、を有する化合物半導体単結晶層により形成された導波路構造とを有する導波路型疑似位相整合型波長変換素子。

IPC (1)：

G02F1/377

FI (1)：

G02F1/377

F-Term (7)：

2K002AB12 , 2K002BA01 , 2K002CA13 , 2K002DA06 , 2K002EA07 , 2K002FA04 , 2K002FA17

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

波長集積・操作フォトニクス -光スペクトル資源の極限利用に向けて- 平成14年度公開シンポジウム講, 200301, 65-68
Journal of Crystal Growth, 200304, 251, 794-799

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