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J-GLOBAL ID：200903050747158935

窒化ガリウム厚膜の結晶成長方法

Inventor： 木村 明隆 ,  笹岡 千秋 ,  泉 弘一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997237167
Publication number (International publication number)：1999079897
Application date： Sep. 02, 1997
Publication date： Mar. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】 窒化ガリウム厚膜にクラックの入りにくく、かつ、窒化ガリウム厚膜を形成した後に基板を除去することが容易な、窒化ガリウム厚膜の結晶成長方法を提供する。【解決手段】 水晶のzカット面またはzカット面となす角が10 ゚以内である面を表面とする基板として使用し、かつ、厚さ10μm以上の窒化ガリウム膜を結晶成長により形成する。基板表面に半導体層を成長させる方法としては、ハイドライド気相成長法が好ましい。

Claim (excerpt)：

Zカット面を表面とする水晶を基板として使用し、窒化ガリウム膜を結晶成長する工程と、前記基板を除去する工程とを少なくとも含むことを特徴とする窒化ガリウム厚膜の結晶成長方法。

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (4)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C