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J-GLOBAL ID：200903050752514189

電圧駆動形半導体スイッチ素子のゲート駆動回路

Inventor： 野間 孝彦
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993272892
Publication number (International publication number)：1995131971
Application date： Nov. 01, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】電圧駆動形半導体スイッチ素子のゲート駆動回路の電源を投入・遮断する際に、当該電圧駆動形半導体スイッチ素子が誤オンするのを防止することにある。【構成】補助トランジスタ23のベースと正極側との間にベース抵抗を接続し、補助トランジスタ23のベースと負極側との間に分圧抵抗を接続し、これらベース抵抗と分圧抵抗の抵抗値の比率を調整して電源電圧が所定値以下のときは補助トランジスタ23をオフにすることで短絡トランジスタ21はオンとなり、信号ベース電源13の電圧上昇が遅くても信号トランジスタ11を短絡状態する。その結果オフトランジスタ6がオンしてIGBT2を逆バイアスする。即ち電源を投入・遮断する際の電圧変化率に差異があり、この差異が原因でIGBT2が誤オンするのを未然に防止する。

Claim (excerpt)：

順バイアス電源と逆バイアス電源との直列接続でなる主ゲート電源に第1ゲート抵抗と信号用スイッチ素子との直列接続回路を並列接続し、この信号用スイッチ素子のゲートにゲート信号制御手段を接続し、且つ第2ゲート抵抗を介して信号ゲート電源を接続し、前記第1ゲート抵抗と信号用スイッチ素子との接続点にオン用スイッチ素子のゲートとオフ用スイッチ素子のゲートとを接続し、前記ゲート信号制御手段からの信号に対応して前記信号用スイッチ素子がオフのときは前記オン用スイッチ素子のターンオンにより前記順バイアス電源は前記電圧駆動形半導体スイッチ素子のゲートに順バイアス電流を流してこれをターンオンさせ、又は前記ゲート信号制御手段からの信号に対応して前記信号用スイッチ素子がオンのときは前記オフ用スイッチ素子のターンオンにより前記逆バイアス電源は前記電圧駆動形半導体スイッチ素子のゲートに逆バイアス電流を流してこれをターンオフさせる構成の電圧駆動形半導体スイッチ素子のゲート駆動回路において、前記信号用スイッチ素子に短絡用スイッチ素子を並列接続し、第3ゲート抵抗と補助スイッチ素子との直列接続回路を前記主ゲート電源に並列接続し、この第3ゲート抵抗と補助スイッチ素子との接続点を前記短絡用スイッチ素子のゲートに接続し、前記信号ゲート電源と前記補助スイッチ素子のゲートとの間に第4ゲート抵抗を挿入し、前記補助スイッチ素子のゲートと前記主ゲート電源の負極側との間に第1分圧抵抗を挿入することを特徴とする電圧駆動形半導体スイッチ素子のゲート駆動回路。