Pat

J-GLOBAL ID：200903050758133403

ニッケルめっき方法及び半導体装置

Inventor： 牧野 豊 ,  渡辺 英二 ,  仲田 実
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998208842
Publication number (International publication number)：2000038682
Application date： Jul. 24, 1998
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半田濡れ性が良好なニッケルめっき膜を比較的短時間で形成できるニッケルめっき方法を提供する。【解決手段】 シリコンウェハ10上に形成されたアルミニウムパッド12の上に、中リンタイプ又は高リンタイプの無電解ニッケルめっき液を使用し、P含有率が5wt%以上の第1のニッケルめっき膜14aを形成して、バリア性を確保する。その後、低リンタイプの無電解ニッケルめっき液を使用し、P含有率が5wt%未満の第2のニッケルめっき膜14bを形成して、半田濡れ性を確保する。

Claim (excerpt)：

被めっき材の表面に第1のニッケルめっき膜を形成する第1のニッケルめっき工程と、前記第1のニッケルめっき膜の上に、前記第1のニッケルめっき膜よりもリン含有率が低い第2のニッケルめっき膜を形成する第2のニッケルめっき工程とを有することを特徴とするニッケルめっき方法。

IPC (2)：

C23C 18/36 ,  H01L 21/60 311

FI (2)：

C23C 18/36 ,  H01L 21/60 311 Q

F-Term (14)：

4K022AA02 ,  4K022BA14 ,  4K022BA16 ,  4K022BA36 ,  4K022CA06 ,  4K022CA16 ,  4K022CA19 ,  4K022CA21 ,  4K022DB02 ,  4K022DB29 ,  4M105AA05 ,  4M105AA13 ,  4M105FF05 ,  4M105FF06