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J-GLOBAL ID：200903050760373799

化合物半導体結晶薄膜の作製方法

Inventor： 木村 浩也 ,  嶋津 充
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994034512
Publication number (International publication number)：1995242499
Application date： Mar. 04, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 表面平坦性が一層優れたGa原子を含むIII-V族化合物半導体結晶薄膜をシリコン基板上に作製する方法を提供しようとするものである。【構成】 シリコン基板上にトリエチルガリウムを用いてGa原子を含むIII-V族化合物半導体結晶薄膜を作製する方法において、成長温度を250〜350°Cの範囲で1層目の化合物半導体結晶薄膜を作製し、次いで、成長温度を675〜800°Cの範囲に昇温して2層目の化合物半導体結晶薄膜を作製することを特徴とするGa原子を含有するIII-V族化合物半導体結晶薄膜の作製方法である。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上にトリエチルガリウムを用いてGa原子を含むIII-V族化合物半導体結晶薄膜を作製する方法において、成長温度を250〜350°Cの範囲で1層目の化合物半導体結晶薄膜を作製し、次いで、成長温度を675〜800°Cの範囲に昇温して2層目の化合物半導体結晶薄膜を作製することを特徴とするGa原子を含有するIII-V族化合物半導体結晶薄膜の作製方法。

IPC (3)：

C30B 29/40 502 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205