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J-GLOBAL ID：200903050770355241

ナノドットを具備する不揮発性メモリ素子及びその製造方法

Inventor： 朴 祥珍 ,  李 明宰 ,  車 映官 ,  徐 順愛 ,  趙 慶相 ,  薛 光洙
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (4)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006285165
Publication number (International publication number)：2007116166
Application date： Oct. 19, 2006
Publication date： May. 10, 2007
Summary：

【課題】ナノドットを具備する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】抵抗変換物質で形成された酸化層を備えるメモリ素子であって、下部電極と、下部電極上に遷移金属酸化物を含んで形成された酸化層と、酸化層内に形成され、酸化層内部のカレントパスを単一化するナノドットと、酸化層上に形成された上部電極とを備えるメモリ素子である。これにより、酸化層のカレントパスを単一化してリセット電流を安定化させることができる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

抵抗変換物質で形成された酸化層を含むメモリ素子であって、 下部電極と、 前記下部電極上に遷移金属酸化物を含んで形成された酸化層と、 前記酸化層内に形成され、前記酸化層内部のカレントパスを単一化するナノドットと、 前記酸化層上に形成された上部電極とを備えることを特徴とするナノドットを具備する不揮発性メモリ素子。

IPC (1)：

H01L 27/10

FI (1)：

H01L27/10 451

F-Term (7)：

5F083FZ10 ,  5F083JA21 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19