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J-GLOBAL ID：200903050781260986

積層型光起電力素子

Inventor： 斉藤 恵志
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 敬介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998045082
Publication number (International publication number)：1999243219
Application date： Feb. 26, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：

【要約】【課題】 光電変換効率が高く、長時間の光照射によっても光電変換効率の変化のより少ない積層型光起電力素子を提供する。【解決手段】 支持体上に、微結晶半導体をi型層に有するpin接合の構成素子と、アモルファス半導体をi型層に有するpin接合の構成素子とを少なくとも積層してなる積層型光起電力素子であって、微結晶半導体をi型層に有するpin接合の構成素子によって電流値が律速されている。

Claim (excerpt)：

支持体上に、微結晶半導体をi型層に有するpin接合の構成素子と、アモルファス半導体をi型層に有するpin接合の構成素子とを少なくとも積層してなる積層型光起電力素子において、微結晶半導体をi型層に有するpin接合の構成素子によって電流値が律速されていることを特徴とする積層型光起電力素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 光電変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-029112   Applicant：三井東圧化学株式会社
• 特開平4-266067
  
• 特開昭63-120476