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J-GLOBAL ID：200903050784613375

複数イオンビームによる絶縁薄膜の形成方法

Inventor： ミンシェン タン ,  スウィー イン タン
Applicant, Patent owner： リード-ライト コーポレーション
Agent (1)： 長谷 照一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996091060
Publication number (International publication number)：1996296042
Application date： Apr. 12, 1996
Publication date： Nov. 12, 1996
Summary：

【要約】【解決手段】【課題】 磁気記録ヘッドの製造において、絶縁薄膜を形成するにあたり、大きな表面積にわたって厚みが均一で、ピンホールが生じにくく、そして強い電界に耐えることができ、かつ化学エッチング剤に対して耐性のある絶縁薄膜の堆積方法を提供する。【解決手段】 絶縁薄膜の或る成分元素を含有する材料からなるターゲットを使用し、好ましくは不活性ガスの第一のイオンビームをターゲットに向けて当て、ターゲット材料を分散させる。同時に、絶縁薄膜の他の成分元素を含有する第二のイオンビームを基板に向けて当てる。ターゲットからの材料と第二のイオンビーム内の元素が化学量論的に適正に反応し、絶縁薄膜として基板上に堆積する。

Claim (excerpt)：

基板上に絶縁薄膜を形成する方法であって、絶縁薄膜の成分元素を含有する材料で形成されたターゲットを設置するステップと、前記ターゲットに向けて第一のイオンビームを注ぎ、前記ターゲットからターゲット材を分散させるステップと、絶縁薄膜の他の成分元素を含有する第二のイオンビームを前記基板に向けて注ぐステップを含んでなり、前記ターゲットから分散されたターゲット材が前記第二のイオンビームの成分元素と反応して、絶縁薄膜として基板上に堆積するようにしたことを特徴とする方法。

IPC (4)：

C23C 14/46 ,  G11B 5/23 ,  G11B 5/31 ,  G11B 5/33

FI (4)：

C23C 14/46 A ,  G11B 5/23 D ,  G11B 5/31 E ,  G11B 5/33