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J-GLOBAL ID：200903050789509622

ダイヤモンドのn型及びp型の形成方法

Inventor： 西林 良樹 ,  鹿田 真一 ,  藤森 直治
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991306803
Publication number (International publication number)：1993117088
Application date： Oct. 25, 1991
Publication date： May. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ダイヤモンド単結晶の基板又は膜にド-パントをド-ピングしてp型又はn型のダイヤモンドとすること。【構成】 ダイヤモンド単結晶にド-パントを接触させておき電子線を単結晶表面に当ててこれを活性化する。するとド-パントがダイヤモンドの内部へ拡散してゆきp型或はn型ダイヤモンドになる。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンドの表面にB、Al、N、P、Asなどのn型又はp型のド-パントを接触させておき、ダイヤモンドの表面に電子線を当てて表面を熱的あるいは物理的に活性化しダイヤモンドの内部にド-パントを拡散させるようにしたことを特徴とするダイヤモンドのn型及びp型の形成方法。

IPC (3)：

C30B 29/04 ,  C30B 31/06 ,  H01L 21/225