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J-GLOBAL ID：200903050791888266

半導体素子用ダイボンド材およびそれを用いた半導体装置

Inventor： 横沢 眞覩 ,  野村 徹 ,  西木 直巳 ,  岡田 彌 ,  澤田 良治
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996141402
Publication number (International publication number)：1997324127
Application date： Jun. 04, 1996
Publication date： Dec. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置の放熱性向上に対する高熱伝導性のダイボンド材はなかった。【解決手段】 高分子化合物として、各種ポリオキサジアゾール(POD)、ポリベンゾチアゾール(PBT)、ポリベンゾビスチアゾール(PBBT)、ポリベンゾオキサゾール(PBO)、ポリベンゾビスオキサゾール(PBBO)、各種ポリイミド(PI)、各種ポリアミド(PA)、ポリフェニレンベンゾイミダゾール(PBI)などの高分子材料の中から選択した少なくとも1つの高分子材料を熱処理して得られる高熱導電性グラファイトの粉末、粉砕片、裁断片を熱硬化性樹脂に添加して構成したダイボンド材8を用いて、ダイパッド部2と半導体素子3とをダイボンドしているので、半導体素子3より発せられた熱を効率よく放熱させることができる。

Claim (excerpt)：

高分子材料を熱処理して得られる高熱導電性のグラファイト材を熱硬化性樹脂に添加したことを特徴とする半導体素子用ダイボンド材。

IPC (9)：

C08L101/00 LTB ,  C01B 31/04 101 ,  C04B 35/52 ,  C08K 3/08 KAB ,  C08K 3/22 KAE ,  C08K 3/28 KAG ,  C08K 3/34 KAH ,  H01L 21/52 ,  C08L 63/00 NKU

FI (9)：

C08L101/00 LTB ,  C01B 31/04 101 Z ,  C08K 3/08 KAB ,  C08K 3/22 KAE ,  C08K 3/28 KAG ,  C08K 3/34 KAH ,  H01L 21/52 E ,  C08L 63/00 NKU ,  C04B 35/54 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-305520
  
• 特開平1-272666
  
• 特開昭60-240764