ポリシリコン膜の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994302672
Publication number (International publication number)：1996139018
Application date： Nov. 14, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】【目的】高移動度のポリシリコン薄膜の形成方法を提供する。【構成】ガラス基板11上に、a-Si膜をレーザアニールしてポリシリコン膜13を作成し、このポリシリコン膜13中の結晶方位が[111]方向の結晶粒13Aを残すようにエッチングを行う。その後、a-Si:H膜14を堆積させ熱アニール法にて再結晶化を行わせて結晶方位の整ったポリシリコン膜を形成する。これによって、高移動度のポリシリコン膜が形成できる。

Claim (excerpt)：

基体上に第1ポリシリコン膜を形成する工程と、前記第1ポリシリコン膜をエッチングして前記基体上に所定の結晶方位を有する、ポリシリコンでなる結晶粒を残留させる工程と、前記結晶粒の上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記結晶粒および前記アモルファスシリコン膜に熱処理を施して第2ポリシリコン膜を形成する工程と、を備えることを特徴とするポリシリコン膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 618 A , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-292618
特開平4-349619
特開平3-070126

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