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J-GLOBAL ID：200903050818559944

半導体装置及び画像読取装置及びその製造方法

Inventor： 小宮山 克美 ,  浜本 修
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993160023
Publication number (International publication number)：1994350070
Application date： Jun. 07, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、センサ幅を狭くしても高い耐湿性が得られ、作業性が高く、歩留まりも良い画像読取装置等の耐湿性半導体装置及びその製造方法を提供することにある。【構成】 非透湿性基体1上に半導体素子50を形成する工程と、前記半導体素子50を覆ってアモルファスフッソ樹脂29を塗布し乾燥する工程と、非透湿性保護部材32にアモルファスフッソ樹脂29’を塗布し乾燥する工程と、前記工程後、前記半導体素子50上に、前記保護部材32を、それぞれの前記アモルファスフッソ樹脂層29,29’を対面して重ね合わせ、真空中で加熱、押圧することにより熱融着する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法、及びそれにより作製される半導体装置である。

Claim (excerpt)：

非透湿性基体上に形成された半導体素子領域と、該領域上に設けられた非透湿性保護部材と、非透湿性の最表面層とを有する非透湿性半導体装置において、前記保護部材と前記最表面層とが、アモルファスフッソ樹脂を主成分とする接着層により接着されて構成されていることを特徴とする半導体装置。