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J-GLOBAL ID：200903050830227418
半導体メモリ装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991309667
Publication number (International publication number)：1993121688
Application date： Oct. 29, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：
【要約】【目的】周辺回路部におけるコンタクト孔を浅くして配線の信頼性を高めると共に、メモリセル部における界面準位を除去することができる様にしてメモリセルのデータ保持特性を向上させる。【構成】周辺回路部12にはSiN膜34が存在しているので、層間絶縁膜としてのSiO2 系膜をSiN膜34上に形成しても、このSiN膜34をストッパとするエッチングで周辺回路部12におけるSiO2 系膜を選択的に除去することができて、コンタクト孔が浅い。一方、メモリセル部11にはSiN膜34が存在していないので、水素アニールで領域45、46のSi界面にまで水素を導入して、これらの領域45、46における界面準位を除去することができる。
Claim (excerpt)：
メモリセル部と周辺回路部とのうちの前記メモリセル部のみを覆っている半導体酸化物系膜と、前記メモリセル部と前記周辺回路部とのうちの前記周辺回路部のみを覆っている半導体窒化膜とを有する半導体メモリ装置。
Patent cited by the Patent：
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