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J-GLOBAL ID：200903050844698448
半導体ウェハ加熱装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993103129
Publication number (International publication number)：1994314694
Application date： Apr. 28, 1993
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：
【要約】【構成】単結晶サファイア製の板状体1に発熱抵抗体2を備え、該板状体1の表面に半導体ウェハ6の載置面1aを形成して半導体ウェハ加熱用ヒータを構成する。【効果】漏れ電流が極めて小さく、機械的強度に優れ、高い均熱性を得られ、半導体ウェハ6を汚染しにくい。
Claim (excerpt)：
発熱抵抗体を内包する単結晶サファイア製板状体の表面に、半導体ウェハの載置面を形成してなる半導体ウェハ加熱装置。
IPC (3)：
H01L 21/324
, C23C 14/50
, H01L 21/31
Cited by examiner (7)
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