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J-GLOBAL ID：200903050846643144

酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電性薄膜

Inventor： 小原 剛 ,  阿部 能之
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Agent (1)： 鴨田 哲彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004350207
Publication number (International publication number)：2006160535
Application date： Dec. 02, 2004
Publication date： Jun. 22, 2006
Summary：

【課題】 極めて平滑で、抵抗が低く、非晶質である透明導電性薄膜と、該透明導電性薄膜を安定的に成膜可能な酸化物焼結体、およびこれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 インジウム、タングステン、亜鉛、シリコンおよび酸素からなり、タングステンがW/In原子数比で0.004〜0.034、亜鉛がZn/In原子数比で0.005〜0.032、シリコンがSi/In原子数比で0.007〜0.052の割合で含有し、かつ、ビックスバイト型構造の酸化インジウム結晶相を主相とする酸化物焼結体とする。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

インジウム、タングステン、亜鉛、シリコンおよび酸素からなり、タングステンがW/In原子数比で0.004〜0.034、亜鉛がZn/In原子数比で0.005〜0.032、シリコンがSi/In原子数比で0.007〜0.052の割合で含有され、かつ、ビックスバイト型構造の酸化インジウム結晶相を主相とすることを特徴とする酸化物焼結体。

IPC (6)：

C04B 35/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01B 1/08 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/28

FI (6)：

C04B35/00 J ,  C23C14/08 D ,  C23C14/34 A ,  H01B1/08 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/28

F-Term (29)：

3K007AB05 ,  3K007AB18 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4G030AA24 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA37 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030CA04 ,  4K029BA45 ,  4K029BC05 ,  4K029BC08 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5G301CA02 ,  5G301CA15 ,  5G301CA27 ,  5G301CA30 ,  5G301CD03 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FB02 ,  5G307FC10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開昭61-136954号公報
  
• 特開昭62-202415号公報
  
• 特許第3224396号公報