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J-GLOBAL ID：200903050863966437

EUVリソグラフィ用マスクの黒欠陥修正方法

Inventor： 高岡 修
Applicant, Patent owner： セイコーインスツルメンツ株式会社
Agent (1)： 坂上 正明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001357534
Publication number (International publication number)：2003158063
Application date： Nov. 22, 2001
Publication date： May. 30, 2003
Summary：

【要約】【課題】 バッファーレイヤのないEUVLマスクに対しても適応可能な低ダメージで高スループットの黒欠陥修正を可能にする。【解決手段】 欠陥認識は原子間力顕微鏡像もしくは近接場光学顕微鏡のシアフォース像で行い、イオンビーム欠陥修正装置のイオンビーム2で欠陥外縁部とその内部は下地へダメージが及ばない厚みを残して黒欠陥を除去し、次に残した欠陥の縁部と内部15を、高さを固定した原子間力顕微鏡のEUVLマスクの吸収体材料よりも硬い探針11による物理的な除去もしくは高さを固定したフェムト秒レーザーを有する近接場光学顕微鏡のレーザーアブレーションにより下地のMo/Si多層膜16と同じ高さまで削ることで黒欠陥修正を行う。

Claim (excerpt)：

イオンビーム欠陥修正装置で欠陥外縁部と下地へダメージが及ばない厚みを残して黒欠陥を除去する工程と、次に残した欠陥の縁部と内部を、高さを固定した走査プローブ顕微鏡を用いて加工する工程とからなることにより下地のMo/Si多層膜へのダメージのない修正を行うことを特徴とするEUVマスクの黒欠陥修正方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08

FI (3)：

G03F 1/08 V ,  H01L 21/30 531 M ,  H01L 21/30 502 P

F-Term (4)：

2H095BA10 ,  2H095BD35 ,  5F046GD10 ,  5F046GD11