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J-GLOBAL ID：200903050874783008

半導体ウェハ保護用粘着フィルム及びこれを用いた表面保護方法

Inventor： 塩貝 進 ,  今泉 純一 ,  加藤 松生 ,  佐久間 和則
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 和田 成則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995062372
Publication number (International publication number)：1996258038
Application date： Mar. 22, 1995
Publication date： Oct. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウェハ加工時には半導体ウェハ電子回路面を保護し、剥離する際には放射線の照射をせずに、ICメモリーへのダメージをも与えることなく、加熱のみで容易に剥離できる半導体ウェハ保護用粘着フィルム及びそれを用いた表面保護方法を提供する。【構成】 半導体ウェハに粘着剤の融点以上の温度で貼り付け、融点付近で半導体ウェハの加工を行い、数秒間加熱して半導体ウェハから剥離、除去する。接着力が、粘着剤の融点付近ではある程度高く、加熱剥離する高温で低くなり、粘着剤を構成するモノマーの20〜80重量%が側鎖の炭素原子数8以上の櫛形ポリマーと、基材が熱収縮性を有するプラスチックフィルムから構成される。

Claim (excerpt)：

粘着剤と熱収縮性を有するプラスチックフィルム基材から成り、該粘着剤を構成するモノマーの20〜80重量%が側鎖の炭素原子数8以上の櫛形ポリマーであり、シリコンウェハに対する接着力が、粘着剤の融点付近で50gf/25mm以上且つ、80°Cで20gf/25mm以下であることを特徴とする半導体ウェハ保護用粘着フィルム。

IPC (3)：

B28D 7/04 ,  B32B 7/12 ,  H01L 21/301

FI (4)：

B28D 7/04 ,  B32B 7/12 ,  H01L 21/78 M ,  H01L 21/78 P