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J-GLOBAL ID：200903050897665550

半導体装置

Inventor： 山崎 亨
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993296496
Publication number (International publication number)：1995147287
Application date： Nov. 26, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：

【要約】【目的】SiGeベースおよびSiGeコレクタを有するシリコンヘテロ接合バイポーラトランジスタのドリフト電界を高め、ベース層中のキャリアの移動度を向上させ、かつベース・コレクタ接合領域において寄生エネルギ障壁の発生を抑制する。【構成】ベース層およびコレクタ層がGeを含む単結晶シリコンからなるバイポーラトランジスタにおいて、ベース層10中のGeの濃度はエミッタ層13側が低くコレクタ層3A側が高い分布を有し、コレクタ層中のGeの濃度はベース層側が高くコレクタ内部の高濃度埋込み層2側が低い分布を有しかつ該コレクタ層内のGe濃度はベース層側で急激に減少し埋込み層側で緩やかに減少するように構成する。

Claim (excerpt)：

ベース層およびコレクタ層がゲルマニウムを含む単結晶シリコン層からなるバイポーラトランジスタを含む半導体装置において、前記ベース層中の深さ方向のゲルマニウム濃度はエミッタ層側が低くコレクタ層側が高い分布を有し、コレクタ層中の深さ方向のゲルマニウム濃度はベース層側が高くコレクタ層内部の高濃度埋込み層側が低い分布を有しかつ該コレクタ層内の深さ方向のゲルマニウム濃度はベース層側で急激に減少し埋込み層側で緩やかに減少する分布を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/205

FI (3)：

H01L 29/72 ,  H01L 27/06 321 H ,  H01L 29/205