Pat

J-GLOBAL ID：200903050903625697

薄膜電圧同調型半導体バルク音響共振器

Inventor： ロバート ビー ストークス ,  ジェイ ディー クロフォード ,  ドルー クシュマン ,  アルヴィン エム ダブリュー コング
Applicant, Patent owner： ティアールダブリュー インコーポレイテッド
Agent (1)： 中村 稔 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994280817
Publication number (International publication number)：1995203593
Application date： Nov. 15, 1994
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 低位相雑音、高い線形特性を有し、かつ実用的DCバイアス電圧を利用することによって広い周波数範囲にわたり変えることができる薄膜電圧同調半導体バルク音響共振器(SBAR)を提供する。【構成】 薄膜電圧同調半導体バルク音響共振器(SBAR)を開示する。圧電膜は、第1の電極と第2の電極の間に配置され、かつヴァイア・ホールを包含している半導体基板に隣接して配置される。可変電圧源は、DCバイアス電圧を電極に印加して、電界を圧電膜内の電極間に生成される。結果として得られた電界は、圧電膜をその非バイアス共振周波数とな異なる周波数で共振させる。DCバイアス電圧を変えるべく可変電圧源を調整することによって、薄膜電圧同調半導体バルク音響共振器(SBAR)からの共振周波数は、変化させることができる。

Claim (excerpt)：

ヴァイア・ホールを含んでいる基板と、前記基板に隣接する前記ヴァイア・ホール上に配置された第1の電極と、前記第1の電極に隣接する前記ヴァイア・ホール上に配置され、複数の周波数で共振する共振器手段と、前記共振器手段に隣接して配置された第2の電極と、前記共振器手段内の前記第1の電極と前記第2の電極の間に電界を生成すべく該第1の電極及び該第2の電極にDCバイアス電圧を印加する可変電圧源手段とを備え、前記電界は、前記共振器手段を該共振器手段の非バイアス共振周波数とは異なる周波数で共振させ、前記DCバイアス電圧は、前記共振器手段を前記複数の周波数で共振させるために前記電界を変化すべく調整可能であることを特徴とする薄膜電圧同調型半導体バルク音響共振器(SBAR)。

IPC (3)：

H04R 17/10 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22

FI (2)：

H01L 41/08 C ,  H01L 41/22 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭49-022893
  
• 特公昭57-033888
  
• 特開昭60-187116
  
• 特開昭60-126907