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J-GLOBAL ID：200903050909450880
半導体レーザ素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996144489
Publication number (International publication number)：1997326527
Application date： Jun. 06, 1996
Publication date： Dec. 16, 1997
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、レーザ光が共振器端面より出射される半導体レーザ素子において、誘電体膜パッシベーションの際に共振器端面に発生する応力を制御し、安定な誘電体/半導体界面を形成することによって、COD劣化を効果的に抑制することができる半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【解決手段】 一対の共振器端面を有する半導体レーザ素子において、少なくとも一方の共振器端面に、該端面に直接積層した第一誘電体膜と、前記第一誘電体膜上に積層し、共振器端面に対して該誘電体膜とは反対の応力を示す第二誘電層とを有する半導体レーザ素子。
Claim (excerpt)：
一対の共振器端面を有する半導体レーザ素子において、少なくとも一方の共振器端面に、該端面に直接積層した第一誘電体膜と、前記第一誘電体膜上に積層し、共振器端面に対して該誘電体膜とは反対の応力を示す第二誘電層とを有する半導体レーザ素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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