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J-GLOBAL ID：200903050914356850

金属薄膜の製造方法

Inventor： 笹川 孝市 ,  梅田 俊郎 ,  川又 克英
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992281917
Publication number (International publication number)：1994128730
Application date： Oct. 20, 1992
Publication date： May. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】高反射率の金属薄膜を効率良く製造する。【構成】所定の圧力に設定された第1の真空空間51中でアーク放電によりプラズマを生成し、該プラズマを前記第1の真空空間よりも低い圧力に設定された第2の真空空間(真空容器6内)に設置された蒸着源に照射することで該第2の真空空間中で成膜を行うアーク放電型イオンプレーティングによる金属薄膜の製造方法において、前記第2の真空空間の成膜時の圧力を5×10-4Torr以下に設定した。

Claim (excerpt)：

所定の圧力に設定された第1の真空空間中でアーク放電によりプラズマを生成し、該プラズマを前記第1の真空空間よりも低い圧力に設定された第2の真空空間に設置された蒸着源に照射することで該第2の真空空間中で成膜を行うアーク放電型イオンプレーティングによる金属薄膜の製造方法において、前記第2の真空空間の成膜時の圧力を5×10-4Torr以下に設定したことを特徴とする金属薄膜の製造方法。

IPC (3)：

C23C 14/32 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/24