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J-GLOBAL ID:200903050934565307

化学増幅型レジストとレジストパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井桁 貞一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991235253
Publication number (International publication number):1993072738
Application date: Sep. 17, 1991
Publication date: Mar. 26, 1993
Summary:
【要約】【目的】 化学増幅型レジストに関し、基板との密着性の向上したレジストを提供することを目的とする。【構成】 酸触媒により極性が変化する官能基をもつポリマと光酸発生剤を備えて構成される化学増幅型レジストにおいて、下記の一般式で示されるメタクリル酸エステルを1〜30モル%含み、メタクリル酸tert- ブチル, メタクリル酸 1 ́,1 ́- ジメチルベンジル, メタクリル酸テトラヒドロピラニル,4-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレンの何れか一つとからなる共重合体をポリマとして用いることを特徴として化学増幅型レジストを構成する。【化1】
Claim (excerpt):
酸触媒により極性が変化する官能基をもつポリマーと露光により酸を発生する酸発生剤を備えて構成される化学増幅型レジストにおいて、下記の一般式で示されるメタクリル酸エステルを1〜30モル%含む共重合体をポリマーとして用いることを特徴とする化学増幅型レジスト。【化1】
IPC (7):
G03F 7/039 501 ,  G03C 1/73 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/027 502 ,  G03F 7/028 ,  G03F 7/038 505 ,  H01L 21/027
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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