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J-GLOBAL ID：200903050938893627

II-VI族化合物半導体から成る発光受光素子用の電極

Inventor： 大畑 豊治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994163040
Publication number (International publication number)：1996008484
Application date： Jun. 22, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】p型II-VI化合物半導体結晶層とオーミック接触を形成し得る、II-VI族化合物半導体から成る発光素子用あるいは受光素子用の電極を提供する。【構成】II-VI族化合物半導体から成る発光受光素子用の電極は、p型II-VI族化合物半導体結晶層20上に形成されたp型のダイアモンド系炭素層21、及びその上に形成された金属層22から成る。あるいは又、p型II-VI族化合物半導体結晶層上に形成されたp型のβ型SiC層(SiとCが面心立方格子を組む閃亜鉛鉱型構造を有するSiC層)、及びその上に形成された金属層から成る。

Claim (excerpt)：

p型II-VI族化合物半導体結晶層上に形成されたp型のダイアモンド系炭素層、及びその上に形成された金属層から成ることを特徴とする、II-VI族化合物半導体から成る発光受光素子用の電極。