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J-GLOBAL ID：200903050940786862

有機薄膜トランジスタ

Inventor： 東口 達 ,  小田 敦 ,  石川 仁志
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 稲垣 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001320342
Publication number (International publication number)：2003124472
Application date： Oct. 18, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 高速で動作し、高いオン/オフ比を有する有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 本有機薄膜トランジスタ10Aは、構成材料である有機薄膜層15に、次式[A](Ar1〜Ar2は夫々独立に、炭素数6から20の置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基或いは置換若しくは無置換の芳香族複素環基である。また、Ar1〜Ar2が有する置換基は互いに結合して環を形成してもよい。またXは炭素数6から34の置換若しくは無置換の縮合芳香族炭化水素から成る1〜4価の基である。nは1〜4の整数を表す。)で表される化合物を単独若しくは混合物として含んでいる。

Claim (excerpt)：

相互に離間した第1及び第2の電極と、該第1及び第2の電極の双方に接する有機薄膜層と、前記第1及び第2の電極の双方から離間した第3の電極を有し、該第3の電極に印加される電圧によって前記第1及び第2の電極間に流れる電流を制御する型式の有機薄膜トランジスタであって、前記有機薄膜層が下記一般式[A]【化1】(式[A]中、Ar1〜Ar2は夫々独立に、炭素数6から20の置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基或いは置換若しくは無置換の芳香族複素環基である。また、Ar1〜Ar2が有する置換基は互いに結合して環を形成してもよい。またXは炭素数6から34の置換若しくは無置換の縮合芳香族炭化水素から成る1〜4価の基である。nは1〜4の整数を表す。)で表される化合物を単独若しくは混合物として含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/80 ,  H01L 51/00

FI (3)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/80 V

F-Term (29)：

5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ09 ,  5F102HC11 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110CC03 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33