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J-GLOBAL ID:200903050942526990
電子放出素子、電子源、表示素子および画像形成装置の製造方法並びに電子放出部形成用材料
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
伊東 哲也 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995286343
Publication number (International publication number):1997106757
Application date: Oct. 09, 1995
Publication date: Apr. 22, 1997
Summary:
【要約】【課題】 本発明の目的は、電子放出部形成用薄膜の作製工程を半導体プロセスのみで行なうことは大面積ディスプレーには向かず、製造コストも高いという問題点を改善するものであり、電子放出特性の優れた電子放出素子、電子源、表示素子及び画像形成装置の製造方法を提供することにある。更に、電子放出素子として、膜厚が均一で良好な電子放出特性が得られる、電子放出部形成用材料を提供することにある。【解決手段】 対向する電極間に電子放出部形成用の材料液滴を付与し、加熱焼成する工程を経て電子放出部を形成する電子放出素子の製造方法において、前記電子放出部形成工程を、陽イオン交換能を有する高分子を含む担体形成用の材料液滴を前記電極間に付与して担体を形成後、該担体上に有機金属化合物溶液を含む電子放出部形成用の材料液滴を付与して該担体に吸着させ、イオン交換することを特徴とする電子放出素子、電子源、表示素子および画像形成装置の製造方法並びに電子放出部形成用材料。
Claim (excerpt):
対向する電極間に電子放出部形成用の材料液滴を付与し、加熱焼成する工程を経て電子放出部を形成する電子放出素子の製造方法において、前記電子放出部形成工程を、陽イオン交換能を有する高分子を含む担体形成用の材料液滴を前記電極間に付与して担体を形成後、該担体上に有機金属化合物溶液を含む電子放出部形成用の材料液滴を付与して該担体に吸着させ、イオン交換することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
IPC (4):
H01J 9/02
, H01J 1/30
, H01J 31/12
, C09D 11/00 PSZ
FI (4):
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 B
, H01J 31/12 C
, C09D 11/00 PSZ
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