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J-GLOBAL ID：200903050952311134
半導体記憶装置及び半導体記憶装置の書き換え制御方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998117389
Publication number (International publication number)：1999305954
Application date： Apr. 27, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：
【要約】【課題】 書き換え命令に対する処理に要する時間を短縮する。【解決手段】 半導体ディスク装置は、ホストインタフェース12、マイクロコントローラ14、バッファメモリ16、記憶媒体18及びブロック位置管理部20とを含んで構成されている。記憶媒体18は、1対の半導体メモリチップA1、B1 が複数組(N組)設けられている。一方の半導体メモリチップに書き換え命令が入力されると、書き換え対象のセクタを含むブロックを構成する全てのセクタのデータをバッファメモリ16に転送する。バッファメモリ16では書き換え対象のセクタのデータを書き換え、バッファメモリ16に転送されたデータは、他方の半導体メモリチップの消去済み領域のブロックに転送する。
Claim (excerpt)：
複数のセクタによって構成されるブロック単位で各々データ消去が可能な1対の半導体記憶媒体と、前記半導体記憶媒体に記憶されたデータのブロック位置を示すブロック位置管理情報を記憶するブロック位置管理部と、データを一時的に記憶するバッファメモリと、一方の半導体記憶媒体のセクタに対する書き換え命令が入力された場合に、前記ブロック位置管理部のブロック位置管理情報に基づいて書き換え対象のセクタを含むブロック位置を判断し、前記一方の半導体記憶媒体の書き換え対象のセクタを含むブロックの前記バッファメモリへのデータの転送、書き換え命令に基づく書き換え対象のセクタのデータの書き換え、前記バッファメモリから他方の半導体記憶媒体の消去済みブロックへのデータの転送、及び前記一方の半導体記憶媒体におけるブロック単位でのデータの消去を制御する制御部と、を有する半導体記憶装置。
IPC (2)：
FI (2)：
G06F 3/08 E
, G11C 17/00 612 F
