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J-GLOBAL ID：200903050956315312
ホトマスク及びこれを用いたパターン形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992007331
Publication number (International publication number)：1993197126
Application date： Jan. 20, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：
【要約】【目的】 位相シフト法用のシフタのエッジが交差するように2回の露光をレジストに対し行なってこれらエッジの交差部分に対応するレジスト部分に微細パターンを形成する方法をより簡略化する。【構成】 ホトマスク形成用基板12の1回の露光領域13を2分割した一方の領域15aに第1の露光用の第1のシフタパターン17を設け他方の領域15bに第2の露光用の第2のシフタパターン19を設けてホトマスク11を構成する。ホトマスク11を介しレジストを露光しレジストに第1及び第2のシフタパターンの潜像を形成する。第2のシフタパターンの潜像にホトマスク11の第1のシフタパターンが重なるようにウエハを移動しその後ホトマスク11を介しこのレジストを露光してレジストに第1及び第2のシフタパターンを重ねた潜像並びに新たに第2のシフタパターンの潜像を形成する。これら工程を繰り返す。
Claim (excerpt)：
レジストに対し第1の露光及び第2の露光をそれぞれ位相シフト法用のシフタを有するホトマスクを用いて行なうパターン形成方法であって第1の露光時のシフタのエッジラインに第2の露光時のシフタのエッジラインが交差するように前記第2の露光を行なうパターン形成方法に用いられるホトマスクにおいて、第1の露光用の第1のシフタパターンと第2の露光用の第2のシフタパターンとを1枚のホトマスク形成用基板上に共に設けてあることを特徴とするホトマスク。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
