半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996062353
Publication number (International publication number)：1997260766
Application date： Mar. 19, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】狭線幅の半導体レーザを提供する。【解決手段】 InP基板1上に積層された障壁層5の導波路層6と接する部分に、導波路層6と同一導電型のドーピングを実施する。これにより、電流の注入効率を増大して、高出力化を実現する。また、埋込層のキャリア濃度を低減するとともに、井戸層数を低減して、内部損失を減少し、狭線幅化を実現する。

Claim (excerpt)：

InP基板と、前記基板上に成長した導波路層と、井戸層と障壁層よりなる量子井戸活性層と、InPクラッド層よりなり、前記導波路層がInGaAsP(エネルギーバンドギャップEg:1.13<Eg(eV)<1.30)で、前記障壁層がInGaAsP(1.04<Eg(eV)<1.20)で構成されており、共振器長を650μm以上1500μm以下とすることを特徴とした半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

多重量子井戸半導体レーザ及びそれを用いた光通信システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-038232 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-230040 Applicant：株式会社東芝
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-095579 Applicant：シャープ株式会社, 古河電気工業株式会社

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