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J-GLOBAL ID：200903050985775098

導電性膜の形成方法およびそれを用いたキャパシタの形成方法

Inventor： 江口 和弘 ,  青山 知憲
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998280134
Publication number (International publication number)：2000114479
Application date： Oct. 01, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】組成の不均一性が小さいSrRuO3 膜を形成すること。【解決手段】SrRuO3 膜103を原料ガスとしてSr(THD)2 とRu(THD)3 との混合ガスを用いたCVD法により形成する。

Claim (excerpt)：

ARuO3 (AはCa、SrおよびBaのうちの少なくとも一つ以上の元素からなる物質)からなる導電性膜をCVD法により形成する際に、Ru原料として、Ruのβジケトン錯体を用いることを特徴とする導電性膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 27/10 451

FI (4)：

H01L 27/10 621 B ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

F-Term (25)：

4M104AA01 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104EE02 ,  4M104EE05 ,  4M104EE16 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  5F083AD24 ,  5F083AD42 ,  5F083GA06 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA45 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• キャパシタおよび高容量キャパシタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-013362   Applicant：シャープ株式会社
• 酸化ルテニウムの成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-068877   Applicant：日本酸素株式会社, 岡田勝
• 電極形成用CVD原料、およびそれを用いて形成されたキャパシタ用電極、配線膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-124726   Applicant：三菱電機株式会社