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J-GLOBAL ID：200903050991156740

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 疋田 智之
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992174048
Publication number (International publication number)：1994021452
Application date： Jul. 01, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【構成】 シリコン基板1にシリコン酸化膜2及びシリコン窒化膜3を形成した後、活性領域となる領域の周囲に溝部を設ける。次にロコス酸化により、溝部に素子分離領域6を形成し、エッチングにより、素子分離領域6の上部を除去し、シリコン基板1を凸状に露出させる。その後、ゲート酸化膜8、ゲート電極部9及びソース/ドレイン領域10を形成する。【効果】 同じ2次元的スペースにおいて、従来より大きいゲート幅を得ることができる。

Claim (excerpt)：

活性領域の、ソース/ドレイン方向に垂直方向の断面が凸状であり、且つ、ゲート電極及びソース/ドレイン層が前記凸状活性領域の上面及び側面に設けられていることを特徴とする電界効果トランジスタ。